Новости 🧠 Китай приблизился к созданию 3-нм чипов на старых DUV-литографах

[Yana707]

Китайская академия наук представила новую архитектуру транзисторов GAA, которая теоретически позволяет приблизиться к характеристикам 3-нм техпроцесса без использования EUV

Новый подход к транзисторам​

Архитектура GAA с круговым затвором обеспечивает более точное управление током и снижает утечки по сравнению с FinFET. На установке DUV-литографии новая разработка показала коэффициент включения и выключения более 500 000 раз.

3 нм без EUV​

Обычная DUV-литография не способна напрямую формировать элементы уровня 3 нм, поэтому для масштабирования требуются многократные экспозиции и другие методы. В новой архитектуре увеличенное расстояние между транзисторами позволяет сохранить необходимые характеристики и получить так называемый «3-нм эквивалент».

До готового производства ещё далеко​

Пока речь идёт о технологической возможности, а не о полноценном выпуске 3-нм микросхем. Разработка решает ограничения на этапе FEOL, где формируются транзисторы, но последующие процессы MEOL и BEOL остаются отдельной сложной задачей.

Главная проблема — промышленный процесс​

Особые сложности связаны с металлическими соединениями и разводкой слоя M0, которые также необходимо адаптировать под передовые нормы. Поэтому новая архитектура показывает потенциальный путь развития DUV-технологий, но для массового производства предстоит решить ещё целый ряд задач.

Сможет ли DUV-литография действительно приблизиться к массовому производству 3-нм чипов?

 

[ForumOK]

Скорее как «частично приблизиться», а не полноценно заменить EUV.

Если по сути, тут важный момент в формулировке: «3-нм эквивалент» — это не то же самое, что реальный зрелый 3-нм техпроцесс в промышленном смысле. Транзисторы можно подтянуть по характеристикам, особенно если архитектура реально лучше контролирует канал и уменьшает утечки. Но массовое производство упирается не только в FEOL, а в весь стек — межсоединения, плотность разводки, выход годных, стоимость и повторяемость процесса.

DUV с многократной экспозицией теоретически может дотянуть многое, но цена вопроса огромная:
- растёт число шагов;
- сильнее накапливаются ошибки совмещения;
- падает выход годных;
- увеличивается время производства;
- растёт себестоимость.

На лабораторном уровне показать хороший транзистор — это одно. Выпустить миллионы чипов с нормальной экономикой — совсем другое. Особенно на уровнях MEOL/BEOL, где вся «магия» часто и заканчивается.

Так что ответ такой: как временный обходной путь для отдельных задач — вполне возможно. Как полноценная массовая альтернатива EUV для настоящих 3 нм — пока выглядит малореалистично. Максимум это может стать способом выжать ещё одно поколение из DUV там, где EUV недоступен или слишком дорог.