
Infineon впервые в мире выпустила силовые чипы SiC на 300-мм пластинах
Немецкий гигант Infineon Technologies первым освоил выпуск силовых чипов на карбиде кремния (SiC) с пластин 300 мм.
Испытательное производство развернули на существующих мощностях, ранее использовавшихся для обычных кремниевых чипов.
Переход на увеличенный диаметр заготовок позволяет получать в 2,3 раза больше рабочих кристаллов с каждой пластины.
──────────────────────────────────────────────────
Компоненты на основе SiC критически важны для электромобилей, зарядных станций, ИБП и систем хранения энергии.
Также фиксируется взрывной спрос со стороны ЦОД для ИИ, где чипы нужны в трансформаторах и блоках питания.
Infineon планирует гибко согласовывать сроки полноценного коммерческого внедрения с ключевыми партнерами.
──────────────────────────────────────────────────
Завод компании в Дрездене подтвердил эффективность технологии Cold Split для нарезки 300-мм SiC-пластин без потерь.
Метод позволяет извлекать существенно больше заготовок из одного слитка за счет отказа от проволочной резки.
Параллельно Infineon инвестирует 1,1 млрд евро в массовый выпуск силовых GaN-компонентов на 300-мм заготовках.
──────────────────────────────────────────────────